Osciloscopio Fnirsi Dso-tc4 Generador Probador 3en1

 
DSO-TC4 ES LA NUEVA ACTIALIZACION DE DSTC3
DSO-TC4 es un osciloscopio de transistores multifuncional lanzado por FNIRSI, que es completo y práctico, y está diseñado para las industrias de mantenimiento e I mas D. Integra un osciloscopio, un generador de señales y un transistor.
 
Las características principales del producto son:
Funciones del osciloscopio:
Tasa de muestreo: 48MSa/s
Ancho de banda analógico: 10MHz
Protección de voltaje: +400V
Almacenamiento de forma de onda: admite la guardado y visualización de capturas de pantalla, lo que es conveniente para el análisis de datos.
Función del generador de señales:
Soporta 13 salidas de forma de onda, rango de frecuencia 0-50KHz, voltaje de salida ajustable de 0-3v.
Los parámetros de salida (frecuencia, amplitud, ciclo de trabajo) son ajustables, flexibles para satisfacer diversas necesidades.
Función del transistor:
Alta eficiencia: Identificar automáticamente el tipo y la disposición de pines del componente probado, simplificar el proceso de operación y mejorar la eficiencia de la prueba.
Categorías diversas: Detectar y analizar el rendimiento y las características de los componentes semiconductores como transistores, diodos, triodos, transistores de efecto de campo (FET), etc.
Diseño portátil:
Equipado con una pantalla TFT a color de 2.8 pulgadas, la imagen es clara e intuitiva.
Batería de litio recargable de alta capacidad incorporada (1500mAh), tiempo de espera 4 horas
Pequeño y ligero, adecuado para uso móvil.
Parámetros principales
Marca
FNIRSI
Modelo
DSO-TC4
Pantalla
Pantalla a color TFT de 2.8 pulgadas
Iluminar desde el fondo
Brillo Ajustable
Fuente de alimentación
TIPO C (5 V/1 A)
Batería
3,7 V/1500 mAh
Idiomas
Chino, Inglés, Alemán, Portugués, Japonés, Español, Coreano, Ruso
Tamaño
=90x142x27,5 mm
Peso del producto
=186 g

Parámetros del osciloscopio
Tasa de muestreo en tiempo real
48 MSa/s
Ancho de banda analógico
10 MHz
Impedancia de entrada
1 MΩ
Modo de acoplamiento
AC/DC
Rango de voltaje de prueba
1:1 Sonda: 80Vpp (+40V)
Sonda 10:1: 800Vpp (+400V)
Sensibilidad Vertical
10mV/div-10V/div (rango X1)
Desplazamiento Vertical
Ajustable con indicación
Rango de base de tiempo
50 ns - 20 s
Modo de disparo
Automático/Normal/Único
Tipo de disparador
Bisel ascendente, Bisel descendente
Nivel de activación
Ajustable con indicación
Congelación de forma de onda
Sí (función HOLD)
Medición Automática
Max, Min, Prom, RMS, Vpp, Frecuencia, Ciclo, Ciclo de Trabajo
 
Prueba de componentes
Transistor
Factor de amplificación "hfe"; Voltaje Base-Emisor "Ube", Ic/Ie, Corriente de fuga inversa Colector-Emisor "Iceo", Ices, Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"
Diodo
Caída de voltaje directo <5V (Caída de voltaje directo, Capacitancia de unión, Corriente de fuga inversa)
Diodo Zener
0,01 ~ 32 V
Tensión de Ruptura Inversa (Área de Prueba K-A-A)
Transistor de Efecto de Campo (FET)
JFET: Capacitancia de puerta "Cg", Corriente de drenaje Id bajo "Vgs", Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"
IGBT: Corriente de drenaje Id bajo Vgs, Caída de voltaje directa del diodo de protección Uf
MIOSTET: Voltaje umbral "Vt", Capacitancia de puerta "Cg", Resistencia Drenaje-Fuente "Rds", Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"
SCR unidireccional
Voltaje de disparo <5V, Nivel de puerta (Voltaje de puerta)
SCR bidireccional
Disparar corriente <6mA (Voltaje de puerta)
Condensador
25pF~100mF, Valor de capacitancia, Factor de pérdida "Vloss"
Resistor
0,01 Ω ~ 50 MΩ
Inductor
10μH~1000μH, resistencia DC
DS18B20
Sensor de temperatura, Pines: GND, DQ, VDD
DHT11
Sensor de temperatura y humedad, Pines: VDD, DATA, GND
 
Parámetros del Generador de Señales
Forma de onda de salida
Soporta 13 salidas de forma de onda
Frecuencia de forma de onda
0-50KHz
Ciclo de Trabajo de Onda Cuadrada
0-100%
Amplitud de forma de onda
0,1 V-3,0 V
Prueba de componentes
Transistor
Factor de amplificación "hfe"; Voltaje Base-Emisor "Ube", Ic/Ie, Corriente de fuga inversa Colector-Emisor "Iceo", Ices, Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"
Diodo
Caída de voltaje directo <5V (Caída de voltaje directo, Capacitancia de unión, Corriente de fuga inversa)
Diodo Zener
0,01 ~ 32 V
Tensión de Ruptura Inversa (Área de Prueba K-A-A)
Transistor de Efecto de Campo (FET)
JFET: Capacitancia de puerta "Cg", Corriente de drenaje Id bajo "Vgs", Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"
IGBT: Corriente de drenaje Id bajo Vgs, Caída de voltaje directa del diodo de protección Uf
MIOSTET: Voltaje umbral "Vt", Capacitancia de puerta "Cg", Resistencia Drenaje-Fuente "Rds", Caída de voltaje directa del diodo de protección "Uf"
SCR unidireccional
Voltaje de disparo <5V, Nivel de puerta (Voltaje de puerta)
SCR bidireccional
Disparar corriente <6mA (Voltaje de puerta)
Condensador
25pF~100mF, Valor de capacitancia, Factor de pérdida "Vloss"
Resistor
0,01 Ω ~ 50 MΩ
Inductor
10μH~1000μH, resistencia DC
DS18B20
Sensor de temperatura, Pines: GND, DQ, VDD
DHT11
Sensor de temperatura y humedad, Pines: VDD, DATA, GND
Parámetros del Generador de Señales
Forma de onda de salida
Soporta 13 salidas de forma de onda
Frecuencia de forma de onda
0-50KHz
Ciclo de Trabajo de Onda Cuadrada
0-100%
Amplitud de forma de onda
0,1 V-3,0 V